我国科学家开创第三类存储技术第A3版:综合 2018年04月12日日照日报


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我国科学家开创第三类存储技术

　　4月11日，复旦大学微电子学院教授周鹏教授在硅片上生长金属电极。
　　近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，写入速度比目前Ｕ盘快一万倍，数据存储时间也可自行决定。这解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。
　　北京时间4月10日，相关成果在线发表于《自然·纳米技术》杂志。（新华社记者丁汀摄）

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